如采用有气隙的多层屏蔽物时，夺调侃所得的屏蔽效果会更好。

该路线图旨在通过识别可能对2D层产生影响的关键技术，态耐以克服在晶圆尺度上实现剥落质量2D层的困难。结合之前的研究报道，克被研究人员开发出了一系列具有高性能和低功耗器件技术的可扩展2D材料。

作者也专注于三个必须在实验和计算中大量进行的基本研究领域，夺调侃以实现用于电子和光电子应用的高质量材料。目前需要更高的速率进行更大量的数据处理，态耐同时能耗更少并继续缩小微处理器的尺寸。除了基于CVD的技术之外，克被分子束源技术（MBE）也是合成2D材料的一种有前景的方法，特别是研究和开发高纯度元素源和生长的结合以提高强纯度方面。

夺调侃具有实时监测和控制生长过程的能力将成为设计具有新颖结构和性质的2D材料的新范例。态耐（2）原子尺度成像与建模的相关性。

克被（a）在SiO2/Si基上的WSe2层的粉末CVD示意图和相应的AFM图像。

夺调侃（d）在不同基质上测量MoS2层的PL强度。这些EMI信号经过传导和辐射方式污染电磁环境，态耐对通信设备和电子仪器造成干扰，因而在一定程度上限制了开关电源的使用。

采用软开关技术开关电源的干扰之一是来自功率开关管通/断时的du/dt，克被因此，减小功率开关管通/断的du/dt是抑制开关电源干扰的一项重要措施。调制频率法是在锯齿波中加人调制波(白噪声)，夺调侃在产生干扰的离散频段周围形成边频带，将干扰的离散频带调制展开成一个分布频带。

基于此，态耐控制电磁干扰的基本措施就是:抑制干扰源、切断祸合途径及降低敏感设备对干扰的响应或增加电磁敏感性电平。因此，克被开关电源中的干扰源主要集中在电压、电流变化大，如开关管、二极管、高频变压器等元件，以及交流输入、整流输出电路部分。